رقم الجزء IB1214M370

Transistor

الأسعار والتوافر

أرسل هذا النموذج لمعرفة الأسعار الحالية وتوافر NSN هذا.
رقم الجزء:
كم:
عنوان البريد الإلكتروني:
الهاتف:
مرجع:
شركة:
اسم:

نحن لا نشارك أو نبيع معلوماتك لأي شخص.
الخصوصيه | حيث

All major credit cards accepted as well as gov. p-cards
رقم الجزء
تجريد
صلاحيه
UOM
NIIN
رقم الجزء:
ib1214m370
تجريد:
No
صلاحيه:
وحدة القياس:
NIIN:
015693427

معلومات الجزء
The high power radar transistor device is designed for l-band radar systems operating over the instantaneous bandwidth of 1.210-1.400 ghz, while operating in class c mode this common base device supplies a of 370 watts of peak pulse power

NSN
رقم المخزون الوطني:
5961-01-569-3427 5961015693427
TXT
وصف:
Transistor
INC
INC
رمز اسم العنصر:
20588
MRC:
The chemical compound or mechanical mixture properties of which the semiconductor is fabricated.CTMZ
Semiconductor Material:
Silicon

{lang[cimilar]} Transistors

« Semiconductor Devices and Associated Hardware {lang[catalog]}
قارن الآن»
واضح | أخفى